Très attendue, la mémoire de type Ferroelectric Random Access Memory (FRAM ou FeRAM) vient enfin de se concrétiser, grâce à Texas Instruments, qui a annoncé la commercialisation des premiers modules de cette mémoire du futur.
Exploitant le magnétisme de cristaux à base de fer au lieu de charges électriques utilisées par les autres types de RAM et les mémoires flash, les FRAM sont très prometteuses : très peu sensibles aux perturbations, elles offrent des taux d'erreur exceptionnellement bas, tout en étant non volatiles et bien plus performantes que les autres mémoires non volatiles, y compris la mémoire flash, qui équipe la plupart des SSD d'aujourd'hui. Le facteur de performance par rapport aux mémoires flash serait de 100, ce qui permet d'utiliser ces mémoires pour le stockage de masse, mais aussi comme RAM.
Elles sont également bien moins gourmandes en énergie que les mémoires flash, avec à peine 100µA/MHz (contre trois fois plus pour la flash) et intègrent une réserve d'énergie permettant de terminer les opérations d'écriture lorsque l'alimentation est coupée, évitant ainsi des pertes de données. Enfin, ces mémoires sont aussi particulièrement endurantes. Alors que les mémoires flash supportent de moins en moins de cycles d'effacement au fil de l'augmentation de la finesse de gravure (les dernières générations ne supportent plus que 3000 cycles en MLC), ces FRAM supportent selon TI pas moins de 10^14 cycles... De quoi voir venir !
Ces mémoires ne sont pas encore produites en masse, mais Texas Instruments fournit dès à présent aux constructeurs intéressés des modules de test permettant d'évaluer l'intégration des FRAM dans divers produits électroniques.