Intel travaille sur de la PRAM 3D

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Avec la popularité grandissante des supports de stockage à mémoire flash (SSD, clés USB, cartes mémoire...), les fabricants de semi-conducteurs travaillent d'arrache-pied pour rendre leurs produits de moins en moins chers à produire et de plus en plus performants. Deux critères d'amélioration qui ne vont pas toujours de paire...

Mais les laboratoires d'Intel pourraient bien parvenir d'ici quelques années à combiner les deux critères, en associant deux technologies. Tout d'abord, la technologie PRAM/PCM (Phase-change RAM / Phase Change Memory). Comme son nom l'indique, il s'agit d'une mémoire de type RAM, c'est-à-dire que chaque mot mémoire peut être accédé indépendamment, contrairement à ce qu'il se passe avec les mémoires flash (qui sont des ROM), ou l'accès se fait par pages de plusieurs Ko et lecture/écriture et par blocs de plusieurs centaines de Ko en effacement. Mais contrairement à la plupart des types de RAM, les PRAM ont l'énorme avantage de pouvoir conserver les données ans alimentation, comme les mémoire flash. Elles promettent donc des performances et une souplesse d'utilisation très supérieures à celles des mémoires flash, tout en conservant l'avantage de la non volatilité (les données stockées durent plus longtemps que sur une mémoire flash !) et en offrant une durée de vie supérieure (certains constructeurs avancent des chiffres de plusieurs centaines de milliers de cycles).

Mais ces mémoires souffrent aussi d'un défaut actuellement commun à tous les types de mémoire électroniques : leur densité relativement faible (par rapport aux supports magnétiques) les rendent très chères et peu compétitives face aux disques durs, malgré leurs performances élevées. Du côté de la mémoire flash, la solution à ce problème consiste actuellement à stocker plus de bits dans une même cellule, mais ceci se fait au détriment des performances et de la fiabilité. Difficile à accepter pour les SSD. Pour les mémoires du futur, Intel lorgne donc vers une autre technologie : les puces 3D, où plusieurs couches de circuits sont entassées les unes sur les autres pour augmenter la densité. Certains constructeurs de mémoire flash ont déjà expérimenté avec succès cette technique, mais Intel veut aller plus loin, en l'appliquant aux PRAM. Les premiers prototypes de cette technologie ont été développés en collaboration avec Numonyx, et les résultats seraient très prometteurs, les deux entreprises étant particulièrement optimistes sur l'avenir de cette nouvelle technologie, baptisées PCMS (Phase Change Memory and Switch).

Si tout se passe bien, on pourrait donc d'ici quelques années avoir à notre disposition des SSD de haute capacité ridiculisant les modèles actuels sur le plan des performances, et ne coûtant pas plus cher qu'un disque dur. Espérons que d'ici là Intel aura un peu plus de rigueur dans les tests de ses firmwares...