On sait depuis quelques années déjà que le temps du silicium est compté : après avoir été la star des semi-conducteurs pendant cinquante ans, le silicium approche de plus en plus de ses limites physiques, ce qui est un gros frein à la progression des performances de nos appareils électroniques. Partout dans le monde, les chercheurs s’activent donc à trouver des alternatives. L’une d’elle pourrait provenir de la magnétite.

Des chercheurs du Département de l’Énergie (DOE) aux USA on en effet fait la démonstration de transistors fabriqués dans ce minerai de fer qui sont capables de changer d’état plusieurs milliers de fois plus vite que les transistors actuels. Rien que ça…

Une telle capacité à basculer rapidement d’un état à l’autre pourrait ouvrir la porte à des puces cadencées à des fréquences bien plus élevées, avec donc à la clé des performances grandement accrues sans avoir à recourir à la multiplication des cœurs, qui atteint elle aussi assez rapidement ses limites.

Malheureusement, comme avec la plupart des technologies qui sortent des labos de recherche, il faudra encore du temps avant les premières applications industrielles, et encore un peu plus de temps avant que cette technologie arrive dans l’ordinateur de monsieur tout le monde… si elle y arrive un jour. Le principal obstacle est pour l’instant le refroidissement, la magnétite nécessitant d’être refroidie à -190°C pour pouvoir produire un comportement normal de transistor. Les scientifiques du DOE sont donc désormais à la recherche de solutions permettant de faire remonter cette température, ou encore d’autres matériaux qui présenteraient des caractéristiques équivalentes mais à température ambiante.