Les limites de la physique s’approchant à grand pas pour les puces à base de silicium, les principaux industriels du secteurs sont à la recherche d’un nouveau matériau pour remplacer le silicium. Le principal candidat est le graphène, dont le principal défaut reste sa difficulté de production. Un point sur lequel Samsung vient justement de faire une grande avancée…

Le Samsung Advanced Institute of Technology, un laboratoire de recherche financé par le géant coréen et l’Université de Sungkyunkwan ont en en effet annoncé avoir élaboré une solution permettant de réaliser des galettes de graphènes monocristal (c’est-à-dire constituées d’un cristal unique, et non d’un assemblage de cristaux) aussi grandes qu’un wafer de silicium. Une première, qui ouvre la voie à la réalisation industrielle de puces sur substrat de graphène.

Comme pour la création des lingots de silicium monocristallin utilisés pour réaliser des wafers, cette technique consiste à faire « pousser » le cristal de graphène à partir d’une « graine », mais en disposant cette fois de nombreuses graines sur un substrat (une surface de germanium). En croissant, les ilots de graphène ainsi constitués finissent par fusionner et ne former plus qu’un cristal unique sur l’ensemble de la surface. Le film de graphène est ensuite transféré sur un wafer de silicium, qui pourra être utilisé pour la réalisation de puces.

Samsung n’a malheureusement pas encore annoncé de date de commercialisation, ce qui laisse entendre que même si le processus est prometteur, il n’est probablement pas encore suffisamment maitrisé ou trop coûteux pour être envisagé à une échelle industrielle.