Si les LED, et en particulier les OLED, ont déjà permis d’affiner fortement les écrans, les travaux que viennent de présenter des chercheurs de l’Université de Washington peuvent faire espérer des gains de finesse impressionnants…

En remplaçant le phospho-arséniure de gallium utilisé habituellement par un autre semi-conducteur, le diséléniure de tungstène (tungstène qui prend ainsi sa revanche, lui qui était utilisé dans les lampes à incandescence), ils ont réussi à réaliser des LED faisant à peine trois atomes d’épaisseur. Une limite qui serait physiquement infranchissable dans l’état actuel des connaissances.

Outre l’encombrement réduit, cette finesse permet de réaliser des dalles flexibles, mais aussi d’envisager d’autres usages que des écrans, en particulier les interconnexions optiques dans les circuits électroniques, avec à la clé de fortes baisses de consommation en réduisant fortement l’énergie dissipée dans les interconnexions.

L’équipe de chercheurs ne s’est par contre pas prononcé sur une date de disponibilité industrielle de cette solution. Avant de penser à l’industrialisation, ils ont en effet encore beaucoup de travail  pour améliorer le processus de fabrication, qui est encore trop coûteux et complexe.